岗位职责
1. 负责公司全新GaN/GaAs外延MOCVD设备进厂验证、工艺搭建、参数调试、配方开发，完成设备量产能力验证，输出标准化外延工艺方案，保障新设备快速投产达标。
2. 负责砷化镓基外延薄膜生长工艺开发、迭代优化，针对外延层厚度均匀性、掺杂浓度、表面粗糙度、缺陷控制等核心指标进行工艺攻关，提升外延片良率与性能稳定性。
3.：熟练运用XRD、PL、AFM、霍尔测试、ECV等材料表征设备，分析外延片电学、光学、结构性能数据，根据测试结果迭代优化工艺参数。
4. 编写新设备调试报告、工艺规范（SOP）、实验记录、量产工艺参数手册，沉淀核心技术经验，完善工艺知识库，保障工艺可复制、可量产。
任职要求
1. 3年及以上（GaN/GaAs）外延工艺全职工作经验，有MOCVD设备新机调试、工艺从零搭建经验者优先，熟悉外延完整工艺流程。
2. 本科及以上学历，微电子、半导体物理、材料科学与工程、光电工程等相关专业。
3. 熟悉GaN/GaAs外延生长机理，熟悉MOCVD设备结构、气路、温场控制；熟练掌握GaN/GaAs掺杂工艺、应力控制、缺陷抑制、均匀性优化等核心工艺；熟悉各类外延材料性能测试与数据分析方法。
4. 具备独立负责新设备工艺导入、调试、量产转化的能力，具备较强的工艺问题排查、分析与攻关能力，能够独立完成工艺方案设计与验证。
5. 有Aixtron、Veeco等主流GaAs MOCVD新机调试经验、有射频器件、光电器件、VCSEL等GaAs外延工艺开发经验者优先。
